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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9905744-005.A00G 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
77
左右 -148% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
31
读取速度,GB/s
3,405.2
17.3
写入速度,GB/s
2,622.0
14.2
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2949
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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