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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9965698-001.A00G 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
77
左右 -141% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.7
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
32
读取速度,GB/s
3,405.2
10.3
写入速度,GB/s
2,622.0
8.7
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2298
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
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