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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston K6VDX7-MIE 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
77
左右 -114% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
36
读取速度,GB/s
3,405.2
14.3
写入速度,GB/s
2,622.0
8.1
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2332
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
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