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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
77
Por volta de -114% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
2,622.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
36
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
8.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2332
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
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