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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Maxsun MSD44G24Q3 4GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
77
左右 -141% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.7
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
32
读取速度,GB/s
3,405.2
10.5
写入速度,GB/s
2,622.0
8.7
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2214
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
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