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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
77
左右 -208% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
25
读取速度,GB/s
3,405.2
14.3
写入速度,GB/s
2,622.0
10.7
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2583
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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