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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
77
左右 -196% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
26
读取速度,GB/s
3,405.2
14.3
写入速度,GB/s
2,622.0
11.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2912
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
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