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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
57
77
左右 -35% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.7
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
57
读取速度,GB/s
3,405.2
19.4
写入速度,GB/s
2,622.0
9.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2253
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
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