RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
57
77
Autour de -35% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
57
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2253
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link