RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
57
77
Autour de -35% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
57
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2253
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link