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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
20.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
77
左右 -221% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
24
读取速度,GB/s
3,405.2
20.1
写入速度,GB/s
2,622.0
16.1
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3778
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
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