RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
77
Wokół strony -221% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3778
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link