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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
41
77
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
8.2
3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
5.4
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
41
读取速度,GB/s
3,405.2
8.2
写入速度,GB/s
2,622.0
5.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
1704
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
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