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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
50
77
左右 -54% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
50
读取速度,GB/s
3,405.2
15.3
写入速度,GB/s
2,622.0
10.9
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2512
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
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Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
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