RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB

总分
star star star star star
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

总分
star star star star star
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB

Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    38 left arrow 44
    左右 -16% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14 left arrow 11.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.2 left arrow 8.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    44 left arrow 38
  • 读取速度，GB/s
    11.2 left arrow 14.0
  • 写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 10.2
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2293 left arrow 2407

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较

EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB

Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
内存RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
内存RAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
内存RAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
内存RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
内存RAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
内存RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
内存RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
内存RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
内存RAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
内存RAM