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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
77
左右 -93% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
40
读取速度,GB/s
3,405.2
14.8
写入速度,GB/s
2,622.0
11.2
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2709
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
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