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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
77
左右 -120% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
35
读取速度,GB/s
3,405.2
10.3
写入速度,GB/s
2,622.0
8.4
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2311
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
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SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
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Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
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