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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
77
左右 -235% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.8
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
23
读取速度,GB/s
3,405.2
16.4
写入速度,GB/s
2,622.0
8.8
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2532
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
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Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
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