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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
77
左右 -120% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
35
读取速度,GB/s
3,405.2
14.1
写入速度,GB/s
2,622.0
9.0
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2583
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
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