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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
77
左右 -305% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
19
读取速度,GB/s
3,405.2
19.4
写入速度,GB/s
2,622.0
14.5
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3290
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB RAM的比较
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
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Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
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