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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
77
左右 -267% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
21
读取速度,GB/s
3,405.2
17.6
写入速度,GB/s
2,622.0
12.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3126
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
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