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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
比较
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
总分
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
总分
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
42
左右 40% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
12.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
42
读取速度,GB/s
13.4
15.5
写入速度,GB/s
12.1
14.1
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3419
3170
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
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