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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
AMD R744G2606U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
76
左右 53% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R744G2606U1S 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
15
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
76
读取速度,GB/s
15.0
15.7
写入速度,GB/s
10.3
8.7
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
1809
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Teclast TLD416G26A30 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
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