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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs AMD R948G2806U2S 8GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
AMD R948G2806U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R948G2806U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
36
左右 -44% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
25
读取速度,GB/s
15.0
14.7
写入速度,GB/s
10.3
10.2
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
2802
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Mushkin 991586 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
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