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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
36
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.1
10.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
24
读取速度,GB/s
15.0
19.0
写入速度,GB/s
10.3
17.1
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
4069
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
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