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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 -29% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
28
读取速度,GB/s
15.0
14.0
写入速度,GB/s
10.3
7.3
内存带宽,mbps
17000
25600
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
2663
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Micron Technology 16G3200CL22 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-043.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
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