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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
37
读取速度,GB/s
17.6
13.6
写入速度,GB/s
12.0
11.3
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2656
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
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