RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
37
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
37
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2656
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link