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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
比较
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
总分
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
81
左右 49% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.3
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
81
读取速度,GB/s
13.3
12.7
写入速度,GB/s
8.5
6.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
1460
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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