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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB

总分
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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

总分
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB 需要考虑的原因
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    41 left arrow 81
    左右 49% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    13.3 left arrow 12.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.5 left arrow 6.5
    测试中的平均数值
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
报告一个错误
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    41 left arrow 81
  • 读取速度，GB/s
    13.3 left arrow 12.7
  • 写入速度，GB/s
    8.5 left arrow 6.5
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2322 left arrow 1460

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