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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
39
左右 41% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
39
读取速度,GB/s
13.4
16.1
写入速度,GB/s
8.0
10.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2815
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
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