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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Kingston 9932291-002.A00G 4GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
47
左右 -104% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
23
读取速度,GB/s
11.8
15.5
写入速度,GB/s
8.0
8.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2252
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
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