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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
29
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
29
读取速度,GB/s
13.4
16.7
写入速度,GB/s
8.0
15.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3552
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
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Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
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Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
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