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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
比较
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Kingston 9905599-026.A00G 8GB
总分
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
总分
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
42
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
23
读取速度,GB/s
13.9
15.5
写入速度,GB/s
8.1
10.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2150
2658
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
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