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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
37
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.4
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
24
读取速度,GB/s
13.2
20.4
写入速度,GB/s
8.4
16.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
4110
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
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Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
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