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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
13.2
18.1
写入速度,GB/s
8.4
14.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3550
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
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Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
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