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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
37
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
32
读取速度,GB/s
13.2
16.6
写入速度,GB/s
8.4
12.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2768
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
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