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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905403-126.A02LF 2GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 9905403-126.A02LF 2GB

总分
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

总分
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Kingston 9905403-126.A02LF 2GB

Kingston 9905403-126.A02LF 2GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Kingston 9905403-126.A02LF 2GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    21 left arrow 37
    左右 -76% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.3 left arrow 13.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.9 left arrow 8.4
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905403-126.A02LF 2GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时，ns
    37 left arrow 21
  • 读取速度，GB/s
    13.2 left arrow 15.3
  • 写入速度，GB/s
    8.4 left arrow 9.9
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2143 left arrow 2430

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