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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
53
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
53
读取速度,GB/s
13.2
20.0
写入速度,GB/s
8.4
9.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2366
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
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G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
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