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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
比较
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
总分
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
41
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
32
读取速度,GB/s
13.3
16.6
写入速度,GB/s
8.3
12.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2176
3221
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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Kingston KHX2666C16/16G 16GB
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Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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