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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.5
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
26
读取速度,GB/s
12.7
21.5
写入速度,GB/s
7.5
17.2
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
4042
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
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