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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
22.3
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
30
读取速度,GB/s
12.7
22.3
写入速度,GB/s
7.5
16.3
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3697
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
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