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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston 9965600-027.A01G 16GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
10.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
35
左右 -3% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
34
读取速度,GB/s
14.4
10.8
写入速度,GB/s
9.5
8.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
2364
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Kingston 9965600-027.A01G 16GB RAM的比较
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
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