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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
58
左右 40% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.5
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
10600
6400
左右 1.66% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.4
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR2
PassMark中的延时,ns
35
58
读取速度,GB/s
14.4
4,241.0
写入速度,GB/s
9.5
1,950.7
内存带宽,mbps
10600
6400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
651
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
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Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
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