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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
39
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.3
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
27
读取速度,GB/s
11.7
20.0
写入速度,GB/s
7.2
17.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
3815
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
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