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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
39
左右 -77% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
22
读取速度,GB/s
11.7
18.5
写入速度,GB/s
7.2
13.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
3283
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
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