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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Kingston 9965589-013.A00G 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.7
10
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
39
左右 -15% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.6
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
34
读取速度,GB/s
11.7
10.0
写入速度,GB/s
7.2
8.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
2278
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
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