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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Kingston 9965600-018.A00G 16GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.7
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
39
左右 -22% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.9
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
32
读取速度,GB/s
11.7
10.4
写入速度,GB/s
7.2
8.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
2386
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
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