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Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB
比较
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB
总分
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
总分
SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
67
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
5
3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,384.7
2,240.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
52
67
读取速度,GB/s
5,635.1
3,322.5
写入速度,GB/s
2,384.7
2,240.3
内存带宽,mbps
6400
6400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
1037
652
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB RAM的比较
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB RAM的比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
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Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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