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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
56
左右 -143% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.9
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
23
读取速度,GB/s
4,387.7
17.5
写入速度,GB/s
1,813.5
12.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
3208
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
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