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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
56
左右 -70% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
33
读取速度,GB/s
4,387.7
14.8
写入速度,GB/s
1,813.5
10.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
1967
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
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