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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
56
左右 -75% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.7
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
32
读取速度,GB/s
4,387.7
11.8
写入速度,GB/s
1,813.5
8.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2585
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
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